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AOB290L  与  IPB027N10N3 G  区别

型号 AOB290L IPB027N10N3 G
唯样编号 A-AOB290L A-IPB027N10N3 G
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 42 -
Td(off)(ns) 45 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.2mΩ@10V 2.7mΩ@100A,10V
ESD Diode No -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 500W 300W
Qrr(nC) 460 -
VGS(th) 4.1 -
Qgd(nC) 21 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
Td(on)(ns) 31 -
封装/外壳 TO-263 TO-263-3
连续漏极电流Id 140A 120A
工作温度 - -55°C~175°C
Ciss(pF) 7180 -
Schottky Diode No -
Trr(ns) 65 -
Coss(pF) 2780 -
Qg*(nC) 90* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOB290L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

暂无价格 0 当前型号
PSMN3R8-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R8-100BS_SOT404

¥20.0457 

阶梯数 价格
210: ¥20.0457
400: ¥16.9879
800: ¥15.5852
0 对比
IPB027N10N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB027N10N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
IPB027N10N3 G Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPB027N10N3GATMA1_TO-263-3

暂无价格 0 对比
IPB027N10N5ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB027N10N5_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
IPB027N10N5 Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPB027N10N5ATMA1_D2PAK(TO-263)

暂无价格 0 对比

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